


簡要描述(shù):GEP-S 係列高純鍺(zhě)探(tàn)測器(qì),由於其優(yōu)異(yì)的分辨率,是(shì)核(hé)測量(liáng)精(jīng)密和(hé)先進(jìn)的(dí)工具(jù),在核物(wù)理(lǐ)研究與核測量(liáng)中具(jù)有(yǒu)不可替(tì)代的地(dì)位。
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| 品牌 | 其他(tā)品牌(pái) | 產地 | 國產 |
|---|---|---|---|
| 加工定製(zhì) | 是 |
GEP-S 係列(liè)高(gāo)純鍺探測器
完整的高純鍺探測器的(dí)製造過程包括晶體製備,探(tàn)測(cè)器(qì)結構(gòu)設計(jì),高性(xìng)能低(dī)噪聲前(qián)置放大(dà)器設計,超(chāo)高(gāo)真空(kōng)封裝與(yǔ)生產(chǎn)成型(xíng),指標測試(shì)和穩定性(xìng)考(kǎo)核(hé)等(děng)。經(jīng)國家計量部門檢定(dìng), 其(qí)關鍵性能(néng)指標優異,穩定(dìng)性良好(hǎo)。
采(cǎi)用(yòng)的晶(jīng)體外形為(wéi)一圓(yuán)柱體(tǐ),在(zài)其(qí)外表麵為(wéi) N+電極,在其內部(bù)電極(jí)孔內部為 P+電極,兩(liǎng)種(zhǒng)電(diàn)極(jí)分別使用成熟的(dí)鋰擴(kuò)散(sàn),硼離子注(zhù)入技(jì)術製造(zào)。威(wēi)視®係列(liè)高(gāo)性(xìng)能 P 型同軸高純(chún)鍺探測器(qì)的 N+電(diàn)極約為(wéi) 0.5mm 厚(hòu),P+電極(jí)約為(wéi) 0.5μm 厚(hòu)。
工作(zuò)機理:高(gāo)純(chún)鍺晶(jīng)體(tǐ)的(dí)雜質濃(nóng)度(dù)低至 1010 原(yuán)子(zǐ)/cm3 量級(jí),是(shì)純(chún)淨的物質。高(gāo)純鍺(zhě)探(tàn)測(cè)器表麵分別有 N+,P+電極,在該兩種電極(jí)上加反(fǎn)向(xiàng)偏壓(yā)後,由(yóu)於高純(chún)鍺晶體(tǐ)極(jí)低的雜質濃度,其(qí)內部(bù)將工作在全耗(hào)盡狀態,此時伽馬射綫在其內(nèi)部沉積能量產(chǎn)生的載(zǎi)流子(zǐ)在電場(cháng)的作用(yòng)下被收(shōu)集(jí),形(xíng)成的(dí)電(diàn)流(liú)信(xìn)號通(tōng)過前置(zhì)放(fàng)大(dà)器被轉換為與(yǔ)沉積(jī)能量成正(zhèng)比(bǐ)的(dí)電(diàn)壓信(xìn)號。
探測(cè)器(qì)的(dí)前置(zhì)放大(dà)器可(kě)根據用(yòng)戶需求選(xuǎn)用阻容(róng)反饋或(huò)脈衝反(fǎn)饋(kuì)前(qián)放,性(xìng)能(néng)優異,長期穩定(dìng)性(xìng)好,除(chú)適(shì)配威(wēi)視(shì)®係列數(shù)字譜(pǔ)儀(yí)外(wài),還(huán)可兼(jiān)容(róng)市場上主(zhǔ)流(liú)的(dí)譜(pǔ)儀(yí)產品(pǐn)。
威(wēi)視®係(xì)列高(gāo)性能(néng) P 型優(yōu)化(huà)高純(chún)鍺探測器(qì)配(pèi)置(zhì)垂(chuí)直冷(lěng)指,並(bìng)可(kě)根據用戶需要配(pèi)置(zhì)“L 形",“U 形",水平(píng)冷(lěng)指等定(dìng)製(zhì)化設計,同時為(wéi)用戶在(zài)探(tàn)測器(qì)封(fēng)裝(zhuāng)與冷指(zhǐ)材(cái)料(liào)上(shàng)提供(gōng)超低本底選(xuǎn)項(xiàng)。為保(bǎo)證(zhèng)製(zhì)冷效率,探(tàn)測(cè)器艙(cāng)室(shì)應(yīng)保(bǎo)持(chí)嚴密的(dí)真空條件。
P 型探(tàn)測(cè)器(qì)的總體(tǐ)特(tè)性:
能(néng)量(liáng)響應(yīng)範(fàn)圍:30keV 至(zhì) 10MeV;相對(duì)探(tàn)測效率 10% 至 80%;
可滿足絕(jué)大部分(fēn)樣品測量應(yīng)用(yòng)和(hé)大(dà)部分(fēn)研究(jiū)測(cè)量應用的(dí)要(yào)求(qiú);
全麵(miàn)保證相(xiāng)對效率(shuài),分辨(biàn)率(shuài),峰(fēng)康(kāng)比和(hé)峰形(xíng)指標;
可配(pèi)置(zhì)普通阻抗(kàng)反饋(kuì)前放或適於(yú)高計數率的脈(mài)衝光(guāng)反饋前(qián)放。
GEP-S 係列(liè)高純鍺(zhě)探測(cè)器 型(xíng)號與性能指標(biāo):



GEP-S40 的點源(yuán)探測效(xiào)率曲綫(根(gēn)據 GB/T 7167-2008 國家標準測(cè)試)
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